「現在記憶體產能真的是緊得不得了。」在法說會上，華邦電總經理陳沛銘開口就點出關鍵。隨著AI（人工智慧）需求快速擴張，記憶體產能持續吃緊，同步宣布加碼約73億元資本支出，提前布局後續產能。
華邦電為未來需求預作準備，大動作加碼資本支出，其中逾50億元將投入客製化超高頻寬記憶體CUBE相關設備。原來，CUBE產品與既有DRAM產能高度共享，在產能已接近滿載的情況下，若未提前建置設備，未來量產時程將受到限制。
訂單提前鎖至2027 設備交期成擴產最大挑戰
從訂單來看，華邦電指出，目前2026年、2027年產能能見度已相當明確，客戶為了提早鎖定未來供給，不僅提前規劃採購，更主動洽談長期採購協議（LTA）。在供需吃緊的環境下，記憶體產能已成為「關鍵資源」。
談起AI全面改寫記憶體市場變化，陳沛銘坦言，過去一年四處奔波，「不是跑客戶，就是跑供應商。」他說，當前最大挑戰不是接單，是設備交期，縱使部分設備交付時間被延長，使資本支出節奏出現遞延，但公司為確保後續產能順利到位，仍選擇提前布局。
在產能布局，華邦電同步推進高雄廠建置。首批設備預計於5至6月裝機，並導入16奈米製程，主要鎖定8Gb與16Gb DDR4及LPDDR4產品，同時規劃支援CUBE相關生產。陳沛銘也預告，未來DRAM產能將逐步往高雄集中，作為後續成長的重要基地。
而Flash，華邦電持續擴充NOR Flash與SLC NAND產能。隨著市場需求轉變，高容量產品出貨比重持續提升，其中SLC NAND因供給缺口擴大，成為目前成長動能最強的產品之一，也被列為今年擴產重點。
記憶體進入產能競逐 供需緊繃成新常態
在設備交期與產能瓶頸尚未完全解決的情況下，華邦電選擇加快投資腳步，反映的不只是公司策略調整，更是整體產業節奏的轉變。從訂單提前鎖定，到產能被需求吸收，再到企業被迫加速擴產，市場運作正逐步從過去的景氣循環，轉向以產能為核心的競逐。
關鍵在於，這波供需緊張來自產業結構變化的結果，隨著國際記憶體大廠將資本支出轉向高頻寬記憶體（HBM）、DDR5與3D NAND等先進產品，傳統DDR4與中低容量Flash新增產能有限；另一方面，AI伺服器與資料中心需求持續擴張，進一步吸收既有供給，使市場長期維持緊繃。
在這樣的背景下，華邦電加碼73億元資本支出，已不只是因應短期需求，選擇提前卡位下一階段的產業競爭。當產能成為最稀缺的資源，企業的投資時點與布局速度，將直接影響未來的市場位置。