台積電傳出可能跨足新型記憶體製造領域。根據外媒《The Information》引述兩名知情人士報導，輝達（NVIDIA）因應人工智慧（AI）記憶體需求持續攀升，已要求台積電研擬生產3D DRAM的計畫。消息引發韓國媒體關注，認為短期內雖不至於衝擊三星（Samsung）及SK海力士（SK Hynix）的市場地位，但長期競爭格局可能出現變化。對此，台積電表示不評論市場傳聞或臆測。
台積電布局3D DRAM 相關專利曝光
3D DRAM是將傳統平面排列的記憶體單元改為垂直堆疊，藉此提高儲存密度。儘管台積電尚未確認生產計畫，但韓媒《Economy Tribune》指出，台積電早已展開相關技術布局。
台積電2020年曾申請高密度3D DRAM單元及電容器結構的美國專利，2025年也公開垂直式DRAM結構與製造方法專利。台積電同年年報揭露，正開發邏輯晶片與記憶體晶圓直接接合的「晶圓對晶圓」（Wafer-on-Wafer）技術，其中55奈米邏輯製程下的單層記憶體晶圓堆疊技術，已進入穩定量產階段。
不過，既有晶圓堆疊技術進入量產，並不代表3D DRAM製程已具備商業量產能力。
三星、海力士短期無虞 長期競爭添變數
台積電可能投入3D DRAM的消息，也引發韓國記憶體產業關注。韓國財經通訊社《聯合Infomax》報導，三星電子、SK海力士及美光（Micron）同樣投入3D DRAM開發，其中三星與SK海力士也正研發「4F²」技術，目標將記憶體單元面積縮減約33%，提高集積密度。
報導分析，台積電即使開始評估3D DRAM生產，短期內仍不至於直接威脅三星與SK海力士的市場地位，但若未來技術及生產布局逐漸成熟，長期記憶體市場競爭格局可能出現變化。
HBM供應吃緊 輝達尋求分散風險
至於輝達為何尋求更多記憶體供應來源，《Economy Tribune》分析，主要與高頻寬記憶體（HBM）供應緊張、價格上漲有關。業界消息指出，三星預計2027年供應的HBM4，每Gb價格可能較現行HBM3E高出3倍以上。
三星上月第三季法說會也證實，2027年HBM供貨量已按照公司設定的目標價格售罄，凸顯市場需求強勁。
記憶體供應瓶頸也開始影響下游生產排程。報導指出，台灣半導體測試廠京元電子近期下修第四季營收展望，部分原因與主要客戶次世代GPU量產時程延後有關，而延後因素涉及HBM4供應鏈良率問題。
台積電收購友達廠區 3D DRAM量產未定
《Economy Tribune》也指出，台積電上月以新台幣388億元收購友達光電台中廠區設施，外界普遍解讀可能用於先進封裝，但韓媒認為，也不排除與3D DRAM布局有關。
不過，台積電目前仍處於3D DRAM生產規劃與評估階段，尚未公布具體投資規模、產線布局及量產時程，也不代表已取得高頻寬記憶體（HBM）訂單。