英特爾（Intel）搶先用上新一代曝光設備，台積電卻決定等到2030年！全球先進製程競賽出現微妙反差，法人質疑董事長魏哲家，競爭對手提早導入高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）技術，憂心台積電失去領先優勢？魏哲家直接回答「不會」，強調新設備投入量產必須通過技術、成本與成熟度3道關卡。台積電也已聯手設備龍頭艾司摩爾（ASML），推動12吋光罩開發，替下一輪晶片製程競爭布局。
這場交鋒背後，英特爾已拿出實際成果。艾司摩爾今年7月宣布，英特爾在美國奧勒岡州，已將High-NA EUV用於部分代號Panther Lake的Core Ultra Series 3處理器量產，並完成Intel 18A製程特定層數的技術驗證。對曾率先導入EUV量產的台積電而言，競爭對手先在High-NA技術取得量產經驗，讓市場開始追問，晚幾年會不會吃虧？
英特爾先行量產 魏哲家拒絕跟跑
High-NA EUV是艾司摩爾開發的新一代曝光技術，透過提高光學系統數值孔徑，讓晶片製造商刻畫更精細的電路圖案。隨著先進製程持續微縮，這項設備成為半導體大廠下一階段技術競爭的重要工具。
英特爾搶先採用，也藉此展現晶圓代工技術實力。根據英特爾與艾司摩爾9月共同公布的資料，英特爾使用High-NA EUV處理的晶圓已超過100萬片，涵蓋設備驗證、測試、研發，以及部分產品特定製程層的量產。雙方並指出，設備對位精度、產出效率及可用率符合預期。
不過，這100萬片並非全數來自商業量產，High-NA EUV也尚未用於Intel 18A所有製程層。英特爾雖然取得先行經驗，仍不能據此認定整體先進製程已超越台積電。
魏哲家強調，台積電評估任何新設備，若要投入量產，必須具備最佳技術、非常合理的成本，以及足夠成熟度。他認為High-NA EUV確實是好技術，但預計到了2030年，技術成熟度與成本條件才更適合正式導入。
當法人追問晚於競爭對手是否會形成技術劣勢？魏哲家回答「不會」，他強調有信心持續為客戶提供最先進的技術。
新機器搶著用 量產成本才是考驗
魏哲家敢把時程押在2030年，關鍵在於晶圓代工的量產效益。
業界人士直言，High-NA EUV雖能提高曝光解析度，但晶圓廠導入新設備，還得考量光罩、製程整合、產出效率與良率；機器即使能刻出更精細的電路，若製造成本過高，未必適合立即擴大使用。
英特爾已在部分晶片量產中累積經驗，台積電則持續以現有曝光技術推進先進製程，同時評估High-NA EUV的量產效益。2家公司選擇不同導入時點，最終仍要比較晶片性能、良率、成本，以及客戶實際採用情況。
值得注意的是，台積電並未排斥這項設備，9月已正式宣布，計畫從2030年起將High-NA EUV用於先進製程量產。魏哲家在13日法說會再次確認這項規劃，沒有因競爭對手提前採用而改變時程。
聯手艾司摩爾 12吋光罩另闢戰場
台積電也正與艾司摩爾合作，推動High-NA EUV所需的大尺寸光罩技術。
雙方9月8日宣布，將推動光罩從現行6吋升級至12吋。光罩承載晶片電路圖案，是曝光設備把設計轉移到晶圓上的關鍵工具。
High-NA EUV使用現行6吋光罩時，部分較大電路圖案需要分次曝光，再進行圖案拼接。雙方希望透過12吋光罩減少限制，提升設備生產力，並改善晶片製造成本。
這項合作訂出明確時間表：2031年之前建立12吋光罩試產線，2033年之前讓相關微影系統具備支援先進製程生產的能力。
不過，12吋光罩並非台積電獨有技術，也不是2030年導入High-NA EUV的先決條件。英特爾同樣參與推動大尺寸光罩的產業合作；台積電初期導入High-NA EUV時，仍將使用現行6吋光罩，待大尺寸光罩技術成熟後再升級。
對艾司摩爾而言，英特爾搶先量產、台積電承諾2030年導入，都有助於擴大High-NA EUV市場；對晶圓代工廠來說，設備與光罩技術能否同步成熟，則關係到未來先進製程的生產效率。
先用未必先贏 2030年見真章
英特爾率先把High-NA EUV用進部分量產晶片，已在新設備導入上取得領先進度；台積電則選擇等技術與成本條件成熟，再擴大使用。
其實2種策略各有考驗，業界人士直言，台積電尚未公布2030年由哪一個製程節點率先採用High-NA EUV，也未揭露設備採購數量及預期成本效益；英特爾目前的量產成果，同樣不能直接推論為整體製程技術已超越台積電。
但魏哲家已對這場設備競賽表明立場。英特爾可以先用，台積電不急著追；真正決定勝負，仍是新設備能否穩定生產、控制成本，並讓客戶願意持續下單。