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吳顯揚是台積電史上第3位獲選中研院院士的研發大將。(圖/台積電提供)

台達電技術長郭大維獲選中研院院士。(圖/翻攝台大創新設計學院官網)
中央研究院今(9)日正式公布第35屆院士暨名譽院士選舉結果,共選出19位新科院士與3位名譽院士。
本屆新科院士涵蓋數理科學、工程科學、生命科學及人文社會科學四大領域。在工程科學組部分,共有6位學者專家入選,包含台積電研究發展與技術發展資深副總經理吳顯揚、台達電子技術長郭大維,他們也是本屆新科院士中,唯二非純學術界出身的當選人,展現了台灣在半導體與科技應用領域的頂尖實力。
台積電第3人!吳顯揚領軍1.4奈米技術開發
吳顯揚擁有美國威斯康辛大學麥迪遜分校電機系博士學位,專長為半導體製程技術開發與元件整合。他是繼林本堅與余振華之後,台積電史上第3位獲選中研院院士的研發大將。
中研院介紹,在台積電任職期間,吳顯揚領導超過400位工程師的團隊,負責整合光刻、蝕刻、沉積等數千道複雜的製程步驟。他不僅成功推動了28奈米低功耗、16奈米、7奈米與3奈米等先進製程節點的量產,目前更被指派負責主掌全球最尖端的1.4奈米(14埃米)節點技術開發。
吳顯揚在半導體領域擁有72項專利,並發表過52篇論文,被公認為業界最傑出的技術架構者與整合領導者之一。

台達電技術長郭大維入列 突破快閃記憶體耐用性瓶頸
另一位獲此最高學術殊榮的產業界代表為台達電技術長郭大維,他是美國德州大學奧斯汀分校電腦科學系博士,其研究專長涵蓋快閃記憶體儲存系統、非揮發記憶體系統以及嵌入式系統。
隨著快閃記憶體(即常見之固態硬碟)容量的快速倍增與高度整合,電子逸脫的風險也隨之增加,導致位元錯誤率上升、產品壽命縮短。中研院表示,郭大維有別於傳統硬體方案的限制,提出以軟體技術將讀寫與擦除干擾分散到晶片空間上的開創性解決方案,有效改善耐用性方面的瓶頸。

中研院院士為終身名譽職,是我國最高學術榮譽,院士選舉依照「中央研究院院士選舉辦法」進行相關程序,最後由全體院士在院士會議召開時投票產生,歷經多次審查及詳細討論,才能獲此殊榮。