台積電ADR漲逾7%!傳攜手景碩打造新封裝 挑戰英特爾EMIB

by 林 威丞

據美國科技媒體報導,台積電正與台灣IC載板廠景碩科技合作開發新AI先進封裝技術,目標直指英特爾(Intel)的EMIB技術。

AI封裝戰火燒 台積電攜景碩布局新技術

《The Information》引述知情人士指出,傳台積電與景碩正合作開發一項先進晶片封裝技術,這項計畫在台積電內部被稱為「類EMIB」。消息公布後,台積電ADR週四上漲7.6%,英特爾股價則勁揚約13%。

不過,台積電拒絕置評,景碩也尚未對此置評。

CoWoS供不應求 台積電加速下一代封裝

晶片封裝是半導體製造的最後一道工序,負責將多個矽晶粒整合成完整系統,並完成電力與訊號互連。隨著AI晶片需求快速攀升,先進封裝產能供不應求,已成為全球半導體供應鏈最關鍵的瓶頸之一。

台積電憑藉CoWoS技術主導AI晶片封裝市場,包括輝達最先進GPU,以及蘋果(Apple)、超微(AMD)等公司的高效能晶片皆採用此方案。然而,AI需求持續暴增,使CoWoS產能長期吃緊。

業界普遍預估,AI晶片供應短缺情況恐延續至2027年以後,目前CoWoS-L部分封裝交期已拉長至78周,2026年至2027年產能幾乎全數售罄。野村證券則預估,台積電CoWoS月產能將於2027年提升至約200萬片。

為因應需求,台積電除了投入玻璃基板技術研發,也正建置CoPoS試產線,預計2028年下半年量產,市場預期輝達下一代AI晶片「Feynman」有望成為首個採用者。

台積電「類EMIB」技術 正視英特爾威脅?

在持續擴充CoWoS產能的同時,台積電同步投入「類EMIB」技術;業界推測,這項新技術有望捨棄CoWoS-L所採用的RDL中介層,改採更接近英特爾EMIB的橋接式架構,以降低成本、提升良率並簡化封裝流程。

台積電布局「類EMIB」除了反映CoWoS長期供不應求的壓力,也代表英特爾EMIB已成為不可忽視的競爭技術。目前英特爾正藉由18A製程重振晶圓代工業務,並積極推廣EMIB封裝,市場更傳出輝達正評估採用EMIB打造整合四顆GPU晶粒的新一代AI處理器。

若台積電成功推出橋接式封裝方案,不僅有望紓解CoWoS產能瓶頸,也可降低輝達等大型AI客戶轉向英特爾代工的誘因;反觀英特爾,台積電跟進EMIB概念,某種程度上也代表其封裝技術獲得市場認可,但後續能否將技術優勢轉化為穩定的晶圓代工訂單與營收,仍是市場關注焦點。

EMIB憑什麼挑戰CoWoS? 結構、成本與尺寸大比拚

而英特爾EMIB之所以被視為可能威脅台積電CoWoS的關鍵,在於兩者採用截然不同的封裝架構。

據《TrendForce》研究指出,CoWoS封裝需要在整個晶片下方鋪設一大片昂貴的矽中介層(Silicon Interposer),負責晶粒間的訊號傳輸;EMIB則只在晶粒需要互連的位置嵌入微型矽橋(Silicon Bridge),讓晶粒直接安裝於有機載板,再透過局部橋接完成連接,所以省去整片中介層,因此不僅材料成本較低,也能簡化製程流程。

此外,EMIB由於僅在晶片邊緣局部使用矽橋,因此可降低矽與有機載板之間熱膨脹係數(CTE)不匹配的問題,減少封裝翹曲與可靠度挑戰。

封裝尺寸方面,EMIB同樣展現競爭力。目前CoWoS-S最大僅能支援約3.3倍光罩尺寸,CoWoS-L提升至3.5倍,預計2027年可達9倍;反觀EMIB-M目前已可支援6倍光罩尺寸,並預計2026至2027年間可擴充至8至12倍光罩尺寸。

價格也是EMIB的重要優勢。因為不需使用高成本矽中介層,可望提供AI晶片客戶更具成本效益的封裝方案。另外,英特爾最新一代EMIB-T更導入穿矽通孔(TSV)技術,可提供垂直供電與訊號傳輸,目前良率已達98%,並已獲得輝達(NVIDIA)、Google及OpenAI等客戶採用。

EMIB與CoWoS比較。(圖/翻攝TrendForce官網)

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