英特爾（Intel）技術長拉納德（Pushkar Ranade）喊話，英特爾在純技術層面已追上台積電，但真正的差距仍在產能規模。拉納德接受《Dwarkesh Podcast》專訪時指出，全球半導體製造設備產能有限，已成為先進製程擴產的共同瓶頸，即使業者想大幅提高晶片產量，也難以單靠自身投入就突破整體供應鏈的限制。
英特爾稱「技術」追上台積電 產能仍落後
拉納德表示，英特爾與台積電的差距主要在產能規模。台積電目前的晶圓產量遠高於英特爾，甚至超過三星（Samsung），英特爾要追上仍需要一段時間。
至於製程技術，他強調「如果你指的是純粹技術層面的追趕，我認為我們已經做到了。」
雖然英特爾在效能、功耗或面積密度等指標上，可能仍有幾個百分點的差距，但那其實是在吹毛求疵。他認為，只有當差距達到一整個世代以上，才會對晶粒產出、面積或功耗功能造成實質影響。
台積電N2對決英特爾14A 製程密度怎麼比？
專訪中，主持人帕特爾（Dwarkesh Patel）引述市場研究機構SemiAnalysis的數據指出，英特爾預計2028年推出的14A製程，電晶體密度可能與台積電N2製程相當。
對此，拉納德質疑以單一指標比較不同製程的方式。他表示，製程競爭力不能只看電晶體密度，還必須綜合考量低漏電晶體、高效能與高驅動電流晶體、高密度及高效能靜態隨機存取記憶體（SRAM），以及類比與射頻電路等多項功能的整體表現。
台積電砸500億美元 英特爾200億美元拚追趕
談到資本支出，拉納德指出，台積電今年資本支出預計達500億美元，英特爾則約200億美元。他認為，直接比較雙方的資本支出並不完全公平，因為台積電目前主要為不同客戶提供晶圓代工服務，英特爾則仍以自家產品製造為主。
拉納德表示，英特爾未來也將成為其他客戶的代工廠，隨著外部客戶增加，資本支出也會逐步成長。
High-NA EUV策略分歧 關鍵在背面供電技術
英特爾製程開發負責人奧斯（Chris Auth）在訪談中說明，英特爾計畫在14A製程導入艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機，台積電則認為這項設備目前尚不具經濟效益。雙方策略差異與背面供電技術有關。
奧斯表示，英特爾採用背面供電技術，可降低正面線路間距的要求，因此能直接使用High-NA EUV進行圖案製作；台積電因採用不同的技術架構，仍需維持更緊密的線路間距，因此需要使用雙重曝光EUV。
他也指出，台積電已宣布將在A16製程導入自家的背面供電技術，稱為「超級電源軌」（Super Power Rail）。
全球設備供應受限 先進製程產量難以大幅增加
拉納德指出，全球半導體製造設備產能有限，是產業擴大先進製程產量時面臨的共同瓶頸。他表示，即使英特爾希望將先進製程晶圓產量提高10倍，現有全球設備存量也無法支撐；不過，他認為產量提高至2倍仍有可能。
拉納德強調，若要進一步提升整體產出，必須由設備供應商及其上游、次級供應商全面提高產能。他也指出，過去十年AI運算需求每年約成長3倍，若半導體設備供應無法同步擴大，這樣的成長速度恐怕難以持續。