高頻寬記憶體（HBM）幾乎已成為AI晶片的代名詞，從輝達（NVIDIA）到各大雲端服務供應商（CSP），都在搶產能、拚堆疊，帶動全球HBM供不應求。反觀力積電董事長黃崇仁卻已經開始思考另一個問題：如果AI持續追求更高頻寬、更低功耗，下一代封裝架構會長什麼樣？在他眼中，Wafer-on-Wafer（WoW）是瞄準「後HBM時代」的重要技術方向。
黃崇仁認為，AI晶片演進至今，競爭已逐漸從製程推進到封裝。隨著HBM堆疊層數持續增加，運算效能同步提升，但功耗、散熱與封裝厚度等挑戰也日益明顯，未來若持續提高AI晶片密度與能源效率，封裝技術勢必跟著改變，這正是WoW最大發展機會。
6年磨一劍 黃崇仁：WoW技術領先全球
相較目前HBM多採用Micro-bump（微凸塊）堆疊，WoW採用Hybrid Bonding（混合鍵合）直接貼合晶圓，可縮短晶片之間的垂直與水平傳輸距離，提高堆疊密度，也讓晶片做得更薄。黃崇仁表示，WoW具備高頻寬與低功耗特性，依力積電評估，功耗約僅HBM的十分之一，若未來AI產業更重視能源效率，WoW有望成為新的封裝架構選項。
為了這項技術，力積電已投入超過6年研發。黃崇仁透露，目前已完成4層WoW主要客戶資格認證，也是全球唯一完成4層WoW驗證的晶圓代工業者；8層DRAM堆疊良率更突破90％，並持續朝更高層數發展。他認為，WoW真正的門檻在於Hybrid Bonding、晶圓薄化及良率控制等製程整合能力，需要長時間累積，不容易在短時間內複製。
力積電總經理朱憲國表示，目前4層WoW產品良率已達量產水準，並完成主要客戶驗證，正等待先進邏輯晶片產品導入；8層產品則持續驗證，希望未來拓展至AI、AR、VR及AIoT等更多應用。隨著全球記憶體大廠也開始導入Hybrid Bonding，封裝技術競賽已逐漸從單純堆疊，走向整體架構設計。
EMIB封裝量產出貨 掀下一張底牌
除了WoW，力積電近年也同步布局矽中介層（Interposer）、矽電容（Silicon Capacitor）及HBM後段晶圓製造（PWF）。其中，12吋矽電容已通過國際CPU大廠EMIB封裝技術認證並開始量產出貨；Interposer則受惠AI先進封裝需求增加，產線完成移轉後已進入量產爬坡。未來這些技術將彼此整合，形成完整的AI封裝平台。
更長遠來看，力積電也投入矽光子技術，希望把光訊號導入AI資料中心高速互連，未來再結合Interposer、矽電容及Hybrid Bonding，打造更完整的高速封裝架構。隨著AI運算需求持續成長，封裝技術的重要性已不亞於先進製程，誰能率先建立完整平台，誰就更有機會掌握下一波AI商機。
黃崇仁沒有說HBM會被取代，也沒有否定HBM仍是目前AI晶片的主流方案，但他已提前把目光放向HBM之後。當市場仍追逐今天最熱門的AI技術時，力積電選擇把WoW、Hybrid Bonding、Interposer與矽光子視為下一代封裝布局的重要拼圖。後HBM時代何時到來，沒有人能給出答案，但下一場AI封裝競賽，顯然已經提前開打。