台積電攜手艾司摩爾（ASML），升級下一代先進製程換光罩規格！2公司聯手推動High NA EUV光罩從現行6吋升級12吋，目標2031年前建立試產線、2033年前讓12吋High NA微影系統全面就緒。台積電董事長魏哲家說，唯有產業攜手解決複雜問題，才能做到「單一企業無法獨力實現的事。」
為何非換不可？現行High NA EUV雖然能繼續使用6吋光罩，但曝光時有使用2張6吋光罩拼接的限制；升級12吋後，不但可以拿掉這道關卡，還能提高晶圓廠生產力、降低晶片製造成本。更關鍵的是，台積電已準備跨出第一步，有意從2030年起在先進製程量產導入ASML的High NA技術。
6吋不急著退 AI先把High NA需求推上來
換上12吋光罩不是一刀切，6吋還會再撐一段時間。ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示，隨著元件微縮藍圖推進，High NA EUV將逐步增加，初期沿用現行6吋光罩，再導入12吋光罩，進一步提升設備生產力。
背後另一股推力則來自AI。台積電預期，隨著製程技術持續推進，特別是AI應用帶動電晶體架構日益複雜，需要使用High NA EUV曝光的光罩層數也會增加。換句話說，High NA愈往先進製程深入，光罩需求也跟著往上走。
2030先上High NA 3年後12吋接棒
台積電已經排出自己的High NA時間表，有意從2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術；接著輪到12吋光罩，雙方計畫在2031年前建立試產線，先替新規格探路。
2家公司把下一個目標押在2033年前，屆時12吋High NA微影系統全面就緒，支援先進製程量產。從2030年台積電導入High NA、2031年前建立12吋光罩試產線，到2033年前整套微影系統就緒，這場規格轉換已經排出至少3個關鍵時間點。
這條路線也不是台積電單方面押注，ASML預期隨著元件微縮持續推進，High NA採用率將逐步提升；先讓產業沿用現行6吋光罩，再以12吋提高設備生產力，讓晶片製造商有時間從舊規格升級到新規格。
不只兩巨頭動手 供應鏈也準備跟進
不過光罩從6吋跨到12吋，不是台積電和ASML說換就能換。雙方在美國加州蒙特雷舉行的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布合作時，已有多家關鍵生態系夥伴及供應商出席，並表達參與這場規格轉移的意願。
ASML也透露，這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商及合作夥伴支持。當台積電與ASML把12吋光罩推向下一階段，不只晶圓廠，從光罩、微影設備到晶圓製造的一整條產業鏈都要跟著升級。